Descrição
O Infineon TT56N16KOF é um transistor de potência IGBT de alta tensão, projetado para aplicações de comutação rápida em fontes de alimentação e inversores.
Especificações
| Tecnologia | TrenchField IGBT |
|---|---|
| Tensão Coletor | Emissor (Vces): 1600 V |
| Corrente Contínua de Coletor (Ic) a 25°C | 56 A |
| Corrente Contínua de Coletor (Ic) a 100°C | 28 A |
| Tensão de Saturação Coletor | Emissor (Vce(sat)) a 25°C: 1.7 V (típico) |
| Tensão de Gate | Emissor (Vge) nominal: 15 V |
| Corrente de Gate (Ig) máxima | 0.5 A |
| Capacitância de Entrada (Cies) | 3000 pF (típico) |
| Capacitância de Saída (Coes) | 300 pF (típico) |
| Capacitância de Transferência (Cres) | 150 pF (típico) |
| Tempo de Subida (tr) | 20 ns (típico) |
| Tempo de Descida (tf) | 100 ns (típico) |
| Encapsulamento | TO-247 |
| Faixa de Temperatura de Operação | -40°C a +150°C |
FAQ
Qual o encapsulamento do Infineon TT56N16KOF?
O Infineon TT56N16KOF possui encapsulamento TO-247.
Qual a faixa de temperatura de operação do TT56N16KOF?
A faixa de temperatura de operação do TT56N16KOF é de -40°C a +150°C.
Qual a tensão nominal no Gate do TT56N16KOF?
A tensão Gate-Emissor (Vge) nominal do TT56N16KOF é de 15 V, com corrente de Gate (Ig) máxima de 0.5 A.