Descrição
Transistor de potência IGBT de canal N, 1200V, 25A, com diodo de roda livre integrado, encapsulado em TO 247.
Especificações
| Tecnologia | IGBT |
|---|---|
| Tensão Coletor | Emissor (Vces): 1200 V |
| Corrente Contínua de Coletor (Ic) a 25°C | 25 A |
| Corrente Contínua de Coletor (Ic) a 100°C | 15 A |
| Tensão de Saturação Coletor | Emissor (Vce(sat)): 1.8 V (típico) |
| Tensão de Gate | Emissor (Vge): ±20 V |
| Corrente de Gate (Ig) | 100 nA |
| Potência Dissipada (Pd) a 25°C | 200 W |
| Encapsulamento | TO-247 |
| Temperatura de Operação | -40°C a +150°C |
Recursos
- Diodo de roda livre integrado
FAQ
Qual o tipo de encapsulamento do transistor Infineon TT25N12-KOF?
O transistor Infineon TT25N12-KOF possui encapsulamento TO-247.
Qual a faixa de temperatura de operação do TT25N12-KOF?
O TT25N12-KOF opera em temperaturas de -40°C a +150°C.
O TT25N12-KOF possui algum tipo de proteção integrada?
Sim, o TT25N12-KOF possui um diodo de roda livre integrado.