Descrição
Transistor de potência IGBT de alta eficiência da família TRENCHSTOP™ 5, projetado para aplicações de conversão de energia.
Especificações
| Tecnologia | TRENCHSTOP™ 5 IGBT |
|---|---|
| Tensão Coletor | Emissor (Vces): 1200 V |
| Corrente Contínua de Coletor (Ic) a 25°C | 210 A |
| Corrente Contínua de Coletor (Ic) a 100°C | 105 A |
| Tensão de Saturação Coletor | Emissor (Vce(sat)) a 210 A, Vge=15V: Máx. 1.8 V |
| Tensão Gate | Emissor (Vge) Máxima: ±20 V |
| Corrente de Gate (Ig) Máxima | ±300 mA |
| Temperatura de Operação Máxima da Junção (Tj) | 150 °C |
| Package | TO-247-3 |
| Dissipação de Potência (Ptot) a 25°C | 1042 W |
| Resistência Térmica Junção | Case (RthJC): 0.12 K/W |
| Aplicações | Fontes de alimentação, inversores solares, controle de motores |
FAQ
Qual a tensão máxima que o transistor TT210N12-KOF pode suportar?
A tensão Coletor-Emissor (Vces) é de 1200 V.
Qual a temperatura máxima de operação do TT210N12-KOF?
A temperatura máxima de operação da junção (Tj) é de 150 °C.
Quais as aplicações típicas do TT210N12-KOF?
O TT210N12-KOF é projetado para aplicações como fontes de alimentação, inversores solares e controle de motores.