Descrição
Módulo de potência IGBT de alta performance da Infineon, projetado para aplicações de acionamento de motores e fontes de alimentação.
Especificações
| Tensão coletor | emissor (Vces): 1200 V |
|---|---|
| Corrente de coletor contínua (Ic) | 120 A |
| Corrente de coletor pulsada (Icm) | 480 A |
| Tensão gate | emissor (Vge): ±20 V |
| Tensão de saturação coletor | emissor (Vce(sat)): 1.8 V (típico) |
| Temperatura de operação | -40 °C a 150 °C |
| Package | EconoDUAL™ 3 |
Recursos
- Tecnologia IGBT 4
- Baixas perdas de condução e chaveamento
- Diodo de roda livre integrado
- Isolamento galvânico
FAQ
Qual a tensão de coletor-emissor suportada pelo módulo TT122N12KOF?
O módulo de potência Infineon TT122N12KOF suporta uma tensão de coletor-emissor (Vces) de 1200 V.
Qual a faixa de temperatura de operação do TT122N12KOF?
O módulo TT122N12KOF opera em uma faixa de temperatura de -40 °C a 150 °C.
Quais as características de encapsulamento e tecnologia do TT122N12KOF?
O TT122N12KOF utiliza o package EconoDUAL™ 3 e é baseado na tecnologia IGBT 4. Possui ainda diodo de roda livre integrado e isolamento galvânico.