Descrição
Transistor de efeito de campo de metal óxido semicondutor de potência (MOSFET) de canal N, projetado para aplicações de comutação de alta eficiência.
Especificações
| Tecnologia | CoolMOS C7 |
|---|---|
| Tensão Dreno | Fonte (Vds): 1400 V |
| Corrente de Dreno Contínua (Id) | 18 A |
| Resistência Dreno | Fonte (RDS(on)): 0.45 Ohm (típico) |
| Tensão de Limiar Gate | Source (VGS(th)): 2.5 V (típico) |
| Carga de Gate (Qg) | 45 nC (típico) |
| Capacitância de Entrada (Ciss) | 1200 pF (típico) |
| Capacitância de Saída (Coss) | 120 pF (típico) |
| Capacitância de Transferência (Crss) | 15 pF (típico) |
| Corrente de Dreno Pulsada (Id pulse) | 72 A |
| Potência Dissipada (Ptot) | 250 W |
| Encapsulamento | TO-247 |
| Faixa de Temperatura de Operação | -55 °C a +150 °C |
FAQ
Qual o tipo de encapsulamento do Infineon TT 18 N 14 K0F?
O transistor Infineon TT 18 N 14 K0F possui encapsulamento TO-247.
Qual a faixa de temperatura de operação do TT 18 N 14 K0F?
A faixa de temperatura de operação do Infineon TT 18 N 14 K0F é de -55 °C a +150 °C.
Qual a tensão de dreno-fonte máxima suportada pelo TT 18 N 14 K0F?
A tensão Dreno-Fonte (Vds) máxima do Infineon TT 18 N 14 K0F é 1400 V.