Descrição
Transistor de potência MOSFET de canal N, 1200V, 95A, com baixa resistência Rds(on) e encapsulamento TO 247.
Especificações
| Tecnologia | CoolMOS™ C7 |
|---|---|
| Tensão Drain | Source (Vds): 1200 V |
| Corrente Drain Contínua (Id) | 95 A |
| Resistência Drain | Source (Rds(on)): 0.095 Ω (típico a 25°C) |
| Tensão Gate | Source Threshold (Vgs(th)): 2.5 V (típico) |
| Encapsulamento | TO-247 |
| Corrente Pulsada Drain (Id,pulse) | 380 A |
| Temperatura de Operação | -55°C a +150°C |
| Diodo de Recuperação Rápida Integrado | Sim |
| Aplicações | Fontes de alimentação de alta tensão, inversores solares, carregadores de veículos elétricos. |
FAQ
Qual o encapsulamento do transistor Infineon TD95N12KOF?
O transistor Infineon TD95N12KOF possui encapsulamento TO-247.
Qual a faixa de temperatura de operação do TD95N12KOF?
A temperatura de operação do TD95N12KOF varia de -55°C a +150°C.
Quais são algumas das aplicações típicas do TD95N12KOF?
As aplicações típicas do TD95N12KOF incluem fontes de alimentação de alta tensão, inversores solares e carregadores de veículos elétricos.