Descrição
Transistor IGBT de alta performance da Infineon, projetado para aplicações de eletrônica de potência com alta densidade de corrente e eficiência.
Especificações
| Tecnologia | TrenchField IGBT |
|---|---|
| Tensão Coletor | Emissor (Vces): 1600 V |
| Corrente Contínua de Coletor (Ic) a 25°C | 160 A |
| Corrente Contínua de Coletor (Ic) a 100°C | 100 A |
| Tensão de Saturação Coletor | Emissor (Vce(sat)) a 160 A: 1.8 V |
| Corrente de Pico de Coletor (Icm) | 480 A |
| Tensão Gate | Emissor (Vge): ±20 V |
| Corrente de Gate (Ig) | 1.2 A |
| Temperatura de Operação (Tj) | -40°C a +175°C |
| Package | TO-247-3 |
| Resistência Térmica (RthJC) | 0.35 K/W |
| Diodo de Ruptura Rápido Integrado | Sim |
| Aplicações | Inversores solares, UPS, fontes de alimentação industriais |
FAQ
Qual a tensão máxima que o transistor TD162N16KOF pode suportar?
O transistor TD162N16KOF possui uma tensão Coletor: Emissor (Vces) de 1600 V.
Em quais temperaturas o TD162N16KOF pode operar?
O TD162N16KOF pode operar em temperaturas de -40°C a +175°C (Tj).
Quais as aplicações típicas do TD162N16KOF?
O TD162N16KOF é adequado para aplicações como inversores solares, UPS e fontes de alimentação industriais.