Descrição
Transistor de potência IGBT de alta performance da Infineon, projetado para aplicações de conversão de energia.
Especificações
| Tecnologia | Trench IGBT 4 |
|---|---|
| Tensão Coletor | Emissor (Vces): 1600 V |
| Corrente Contínua de Coletor (Ic) a 100°C | 142 A |
| Corrente Pulsada de Coletor (Icm) | 400 A |
| Tensão de Saturação Coletor | Emissor (Vce(sat)) a 142 A: 1.8 V |
| Tensão de Gate | Emissor (Vge): ±20 V |
| Corrente de Gate (Ig) | 100 nA |
| Temperatura de Operação (Tj) | -40°C a +175°C |
| Package | TO-247-3 |
| Dissipação de Potência (Ptot) a 25°C | 303 W |
| Resistência Térmica Coletor | Case (RthJC): 0.49 K/W |
| Frequência de Chaveamento | Alta |
FAQ
Qual a tensão máxima que o transistor TD142N16KOF pode suportar?
O TD142N16KOF suporta uma tensão Coletor: Emissor (Vces) de 1600 V.
Qual a faixa de temperatura de operação do TD142N16KOF?
A temperatura de operação (Tj) do TD142N16KOF varia de -40°C a +175°C.
Qual o tipo de encapsulamento e qual a dissipação de potência do TD142N16KOF?
O TD142N16KOF possui encapsulamento TO-247-3 e a dissipação de potência (Ptot) a 25°C é de 303 W.