Descrição
Transistor de SiC (Carboneto de Silício) de 1200V, 66A, com encapsulamento TO 247.
Especificações
| Tecnologia | SiC MOSFET |
|---|---|
| Tensão Máxima Dreno | Fonte (Vds): 1200 V |
| Corrente Máxima de Dreno Contínua (Id) | 66 A |
| Encapsulamento | TO-247-3 |
| Resistência Dreno | Fonte em Condução (Rds(on)): 18 mOhm (típico) |
| Tensão de Gate | Source (Vgs): ±20 V |
| Temperatura de Operação | -40°C a +175°C |
Recursos
- Baixa Capacitância de Saída (Coss)
- Baixa Carga de Gate (Qg)
- Ideal para aplicações de alta frequência e alta eficiência
- Baixas perdas de chaveamento
FAQ
Qual o encapsulamento do transistor Infineon TD 66 N 12 LOF?
O transistor Infineon TD 66 N 12 LOF possui encapsulamento TO-247-3.
Qual a faixa de temperatura de operação do TD 66 N 12 LOF?
A temperatura de operação do TD 66 N 12 LOF varia de -40°C a +175°C.
Quais são as aplicações típicas do TD 66 N 12 LOF?
O TD 66 N 12 LOF é ideal para aplicações de alta frequência e alta eficiência devido a baixa Capacitância de Saída (Coss), baixa Carga de Gate (Qg) e baixas perdas de chaveamento.