Descrição
Transistor IGBT de alta performance da Infineon, projetado para aplicações de eletrônica de potência com alta eficiência e confiabilidade.
Especificações
| Tecnologia | Trench IGBT 4 |
|---|---|
| Tensão Coletor | Emissor (Vces): 1800 V |
| Corrente Contínua de Coletor (Ic) a 100°C | 315 A |
| Corrente Pulsada de Coletor (Icp) | 1260 A |
| Tensão de Saturação Coletor | Emissor (Vce(sat)) a 315A, 25°C: 1.75 V |
| Tensão de Gate | Emissor (Vge): ±20 V |
| Corrente de Gate (Ig) | 100 nA |
| Capacitância de Entrada (Cies) | 12.5 nF |
| Capacitância de Saída (Coes) | 1.2 nF |
| Capacitância de Transferência (Cres) | 0.3 nF |
| Temperatura de Operação | -40°C a +150°C |
| Package | TO-247-3 |
| Dissipação de Potência (Ptot) a 25°C | 1170 W |
| Resistência Térmica (RthJC) | 0.105 K/W |
FAQ
Qual a tensão máxima que o IGBT T3159N18TOF pode suportar?
O transistor IGBT T3159N18TOF da Infineon possui uma tensão Coletor: Emissor (Vces) de 1800 V.
Qual a faixa de temperatura de operação do T3159N18TOF?
O T3159N18TOF pode operar em temperaturas que variam de -40°C a +150°C.
Quais as características do encapsulamento e a dissipação de potência do T3159N18TOF?
O T3159N18TOF utiliza o package TO-247-3 e possui dissipação de potência (Ptot) a 25°C de 1170 W.