Infineon T298N16TOF

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O Infineon T298N16TOF é um transistor de potência IGBT de alta performance, projetado para aplicações de eletrônica de potência com alta eficiência.

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Descrição

O Infineon T298N16TOF é um transistor de potência IGBT de alta performance, projetado para aplicações de eletrônica de potência com alta eficiência.

Especificações

Tecnologia IGBT
Tensão Coletor Emissor (Vces): 1600 V
Corrente Contínua de Coletor (Ic) a 25°C 298 A
Corrente Contínua de Coletor (Ic) a 100°C 180 A
Tensão de Saturação Coletor Emissor (Vce(sat)) a 298A, Vge=15V: 1.7 V
Tensão Gate Emissor (Vge) Máxima: ±20 V
Corrente de Gate (Ig) Máxima 1.5 A
Temperatura de Operação Máxima (Tj) 150 °C
Package TO-247-3
Dissipação de Potência (Ptot) a 25°C 1250 W

Recursos

  • Rápida velocidade de chaveamento
  • Baixas perdas de condução e chaveamento

FAQ

Qual a tensão máxima que o transistor T298N16TOF suporta?

O transistor Infineon T298N16TOF suporta uma tensão Coletor-Emissor (Vces) de 1600 V.

Qual a temperatura máxima de operação do T298N16TOF?

A temperatura de operação máxima (Tj) do T298N16TOF é de 150 °C.

Quais são as principais características do T298N16TOF?

O T298N16TOF utiliza a tecnologia IGBT, possui rápida velocidade de chaveamento, baixas perdas de condução e chaveamento, e está encapsulado em um package TO-247-3. A corrente contínua de coletor (Ic) a 25°C é de 298 A.

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