Descrição
O Infineon T1189N18TOF é um transistor de potência IGBT de alta performance, projetado para aplicações de comutação rápida em inversores e fontes de alimentação.
Especificações
| Tecnologia | Trench IGBT 4 |
|---|---|
| Tensão Coletor | Emissor (Vces): 1800 V |
| Corrente Contínua de Coletor (Ic) | 1189 A |
| Corrente Pulsada de Coletor (Icm) | 2378 A |
| Tensão de Saturação Coletor | Emissor (Vce(sat)): 2.0 V (típico) |
| Corrente de Gate (Ig) | 100 nA |
| Temperatura de Operação (Tj) | -40 a +150 °C |
| Package | H-Bridge |
| Dissipação de Potência (Ptot) | 1250 W |
| Encapsulamento | Module |
| Aplicações | Inversores industriais, sistemas de energia renovável, acionamentos de motores |
FAQ
Qual o encapsulamento do Infineon T1189N18TOF?
O Infineon T1189N18TOF é encapsulado em Module.
Qual a faixa de temperatura de operação do T1189N18TOF?
A temperatura de operação (Tj) do Infineon T1189N18TOF varia de -40 a +150 °C.
Quais são as aplicações típicas do Infineon T1189N18TOF?
As aplicações típicas do Infineon T1189N18TOF incluem inversores industriais, sistemas de energia renovável e acionamentos de motores.