Descrição
Transistor MOSFET de potência de canal N, 600V, 47A, com baixa resistência de condução (RDS(on)) e alta eficiência, ideal para aplicações de fonte de alimentação.
Especificações
| Tecnologia | CoolMOS C3 |
|---|---|
| Tensão Drain | Source (Vds): 600 V |
| Corrente Drain Contínua (Id) | 47 A |
| Resistência Drain | Source (RDS(on)): 0.072 Ω (típico) |
| Tensão Gate | Source (Vgs): ±20 V |
| Corrente Gate (Ig) | ±200 mA |
| Potência Dissipada (Pd) | 303 W |
| Temperatura de Operação | -55 °C a 150 °C |
| Package | TO-247 |
| Encapsulamento | Plástico |
| Número de Pinos | 3 |
| Aplicações | Fontes de alimentação chaveadas (SMPS), PFC, inversores solares. |
FAQ
Qual o tipo de encapsulamento do SPW47N60C3?
O SPW47N60C3 possui encapsulamento em plástico e o package é TO-247.
Qual a faixa de temperatura de operação do SPW47N60C3?
A temperatura de operação do SPW47N60C3 é de -55 °C a 150 °C.
Quais são algumas das aplicações típicas do SPW47N60C3?
O SPW47N60C3 é ideal para aplicações como fontes de alimentação chaveadas (SMPS), PFC e inversores solares.