Infineon SPW35N60CFDFKSA1

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Transistor MOSFET de potência de canal N, 600V, 35A, com diodo de roda livre rápido integrado, encapsulado em TO-247.

SKU: SPW35N60CFDFKSA1 Categoria: Tag:

Descrição

Transistor MOSFET de potência de canal N, 600V, 35A, com diodo de roda livre rápido integrado, encapsulado em TO 247.

Especificações

Tecnologia CoolMOS C3 FD
Tensão Drain Source (Vds): 600 V
Corrente Contínua Drain (Id) 35 A
Corrente Pulsada Drain (Id,pulse) 105 A
Tensão Gate Source (Vgs): ±20 V
Resistência Drain Source (Rds(on)): 0.035 Ω a Vgs=10V
Carga Total do Gate (Qg) 62 nC a Vgs=10V
Encapsulamento PG-TO247
Temperatura de Operação -55°C a 150°C
Aplicações Fontes de alimentação chaveadas, inversores solares, carregadores de bateria

Recursos

  • Diodo de Roda Livre Rápido Integrado

FAQ

Qual o encapsulamento do SPW35N60CFDFKSA1?

O SPW35N60CFDFKSA1 é encapsulado em PG-TO247.

Qual a temperatura de operação do SPW35N60CFDFKSA1?

A temperatura de operação do SPW35N60CFDFKSA1 varia de -55°C a 150°C.

Quais as aplicações típicas do SPW35N60CFDFKSA1?

O SPW35N60CFDFKSA1 é comumente utilizado em fontes de alimentação chaveadas, inversores solares e carregadores de bateria.

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