Descrição
Transistor MOSFET de potência de canal N, 600V, 35A, com baixa resistência de condução (RDS(on)) e alta eficiência.
Especificações
| Tecnologia | CoolMOS C3 |
|---|---|
| Tensão Drain | Source (Vds): 600 V |
| Corrente Drain Contínua (Id) | 35 A |
| Resistência Drain | Source On (RDS(on)): 0.035 Ω (típico a 25°C) |
| Tensão Gate | Source (Vgs): ±20 V |
| Corrente Gate (Ig) | ±200 mA |
| Potência Dissipada (Pd) | 250 W |
| Temperatura de Operação | -55°C a +150°C |
| Encapsulamento | TO-247 |
| Diodo de Recuperação Rápida | Sim |
| Aplicações | Fontes de alimentação chaveadas, inversores, PFC. |
FAQ
Qual o encapsulamento do MOSFET SPW35N60C3?
O SPW35N60C3 é encapsulado em TO-247.
Qual a faixa de temperatura de operação do SPW35N60C3?
A temperatura de operação do SPW35N60C3 varia de -55°C a +150°C.
Quais as aplicações típicas do SPW35N60C3?
O SPW35N60C3 é utilizado em fontes de alimentação chaveadas, inversores e PFC.