Infineon SPW20N60CFD

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Transistor MOSFET de potência de canal N, 600V, 20A, com diodo rápido integrado, projetado para aplicações de alta eficiência.

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Descrição

Transistor MOSFET de potência de canal N, 600V, 20A, com diodo rápido integrado, projetado para aplicações de alta eficiência.

Especificações

Tecnologia CoolMOS™ CFD2
Tensão Drain Source (Vds): 600 V
Corrente Drain Contínua (Id) 20 A
Tensão Gate Source (Vgs): ±20 V
Resistência Drain Source (Rds(on)): 0.16 Ω a Vgs=10V, Id=10A
Package TO-247
Temperatura de Operação -55°C a 150°C

Recursos

  • Diodo Rápido Integrado (Fast Diode)
  • Baixa Carga de Gate (Qg)
  • Baixa Capacitância de Saída (Coss)
  • Ideal para fontes chaveadas (SMPS)
  • Aplicações em PFC e fontes de alimentação de servidor

FAQ

Qual a tensão máxima que o MOSFET SPW20N60CFD pode suportar?

O SPW20N60CFD suporta uma tensão Drain-Source (Vds) de até 600V.

Quais as aplicações típicas do SPW20N60CFD?

O SPW20N60CFD é ideal para fontes chaveadas (SMPS), aplicações em PFC (correção do fator de potência) e fontes de alimentação de servidor.

Qual a faixa de temperatura de operação do SPW20N60CFD?

O SPW20N60CFD opera em uma faixa de temperatura de -55°C a 150°C.

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