Infineon SPW20N60C3FKSA1 – Transistor de Potência MOSFET
O Infineon SPW20N60C3FKSA1 é um transistor de potência MOSFET avançado, projetado para aplicações que exigem alta eficiência, desempenho confiável e baixa dissipação de energia. Este componente é amplamente utilizado em conversores de energia, fontes de alimentação chaveadas, e inversores devido à sua robustez e confiabilidade.
Características Técnicas do Infineon SPW20N60C3FKSA1
Desenvolvido com a tecnologia CoolMOS™, o SPW20N60C3FKSA1 oferece excelente desempenho em ambientes de alta tensão. Confira as principais especificações técnicas:
- Tensão de Drain-Source (VDS): 600V
- Corrente de Drain (ID): 20A
- Resistência de On-State (RDS(on)): 0.19Ω
- Carga de Gate (QG): 63nC
- Pacote: TO-247
- Eficiência: Alta eficiência energética graças à baixa dissipação de calor
Estas características tornam este transistor ideal para uso em projetos que demandam operação em altas frequências e baixa perda de energia.
Vantagens do Transistor MOSFET SPW20N60C3FKSA1
O Infineon SPW20N60C3FKSA1 se destaca por combinar eficiência e confiabilidade, sendo projetado para atender às exigências das aplicações mais desafiadoras. Algumas das vantagens incluem:
- Redução significativa de perdas de comutação
- Melhor gerenciamento térmico devido à dissipação eficiente
- Compatibilidade com projetos modernos de alta densidade
- Durabilidade comprovada em condições de operação intensiva
Aplicações do Infineon SPW20N60C3FKSA1
Este MOSFET de alta potência é amplamente aplicado em setores industriais, comerciais e de consumo. Exemplos de uso incluem:
- Conversores de energia para equipamentos industriais
- Fontes de alimentação para servidores e data centers
- Inversores solares e sistemas de energia renovável
- Carregadores de veículos elétricos
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