Descrição
Transistor MOSFET de potência de canal N, 600V, 20A, com baixa resistência de condução (RDS(on)) e encapsulamento TO 247, otimizado para aplicações de alta eficiência.
Especificações
| Tecnologia | CoolMOS C3 |
|---|---|
| Tensão Drain | Source (Vds): 600 V |
| Corrente Drain Contínua (Id) | 20 A |
| Resistência Drain | Source (RDS(on)): 0.15 Ω (típico a Vgs=10V) |
| Tensão Gate | Source (Vgs): ±20 V |
| Encapsulamento | PG-TO247 |
| Corrente Drain Pulsada (Id,pulse) | 80 A |
| Temperatura de Operação | -55 °C a +150 °C |
| Diodo de Recuperação Rápida Integrado | Sim |
| Aplicações | Fontes de alimentação chaveadas (SMPS), PFC, inversores solares, fontes de LED. |
FAQ
Qual o encapsulamento do SPW20N60C3FKSA1?
O transistor SPW20N60C3FKSA1 possui encapsulamento PG-TO247.
Qual a faixa de temperatura de operação do SPW20N60C3FKSA1?
A temperatura de operação do SPW20N60C3FKSA1 é de -55 °C a +150 °C.
Quais as aplicações típicas do SPW20N60C3FKSA1?
As aplicações típicas do SPW20N60C3FKSA1 incluem fontes de alimentação chaveadas (SMPS), PFC, inversores solares e fontes de LED.