Descrição
Transistor MOSFET de potência canal N, 500V, 16A, com baixa resistência Rds(on) e encapsulamento PG TO247.
Especificações
| Tecnologia | CoolMOS C3 |
|---|---|
| Tensão Drain | Source (Vds): 500 V |
| Corrente Contínua Drain (Id) | 16 A |
| Resistência Drain | Source (Rds(on)): 0.22 Ohm (típico a Vgs=10V) |
| Tensão Gate | Source Threshold (Vgs(th)): 2.5 V (típico) |
| Encapsulamento | PG-TO247 |
| Corrente Pulsada Drain (Id,puls) | 64 A |
| Capacitância de Entrada (Ciss) | 1100 pF (típico) |
| Capacitância de Saída (Coss) | 130 pF (típico) |
| Capacitância de Transferência (Crss) | 20 pF (típico) |
| Temperatura de Operação | -55°C a 150°C |
| Dielétrico de Gate | SiO2 |
FAQ
Qual o encapsulamento do MOSFET SPW16N50C3FKSA1?
O SPW16N50C3FKSA1 possui encapsulamento PG-TO247.
Qual a faixa de temperatura de operação do SPW16N50C3FKSA1?
A temperatura de operação do SPW16N50C3FKSA1 é de -55°C a 150°C.
Qual a tensão de ruptura e corrente máxima do SPW16N50C3FKSA1?
A tensão Drain-Source (Vds) é de 500V e a corrente contínua Drain (Id) é de 16A. A corrente pulsada Drain (Id,puls) é de 64 A.