Descrição
Transistor MOSFET de canal N de alta tensão, série CoolMOS C3, projetado para aplicações de fonte de alimentação.
Especificações
| Tensão Drain | Source (Vds): 800 V |
|---|---|
| Corrente Drain Contínua (Id) a 25°C | 11 A |
| Corrente Drain Pulsada (Id) | 44 A |
| Resistência Drain | Source (Rds(on)) a 10V: 0.11 Ω |
| Tensão Gate | Source (Vgs): ±20 V |
| Tensão de Limiar Gate | Source (Vgs(th)) a 1mA: 2.5 V |
| Capacitância de Entrada (Ciss) a 100V | 750 pF |
| Capacitância de Saída (Coss) a 100V | 100 pF |
| Capacitância de Transferência (Crss) a 100V | 15 pF |
| Tempo de Subida (tr) | 10 ns |
| Tempo de Descida (tf) | 7 ns |
| Temperatura de Operação | -55°C a 150°C |
| Package | PG-TO247 |
| Tecnologia | CoolMOS C3 |
FAQ
Qual a tensão máxima que o SPW11N80C3 pode suportar?
A tensão Drain-Source (Vds) máxima é de 800 V.
Qual a faixa de temperatura de operação do SPW11N80C3?
O SPW11N80C3 opera em temperaturas que variam de -55°C a 150°C.
Quais são as principais características elétricas do SPW11N80C3?
O SPW11N80C3 possui corrente Drain contínua (Id) de 11 A a 25°C, resistência Drain-Source (Rds(on)) de 0.11 Ω a 10V, e tensão Gate-Source (Vgs) de ±20 V.