Descrição
Transistor MOSFET de potência de canal P, 60V, 80A, com baixa resistência de condução (RDS(on)) e encapsulamento PG TO263 3.
Especificações
| Tipo de transistor | MOSFET de Potência |
|---|---|
| Canal | P |
| Tensão Dreno | Fonte (Vds): 60 V |
| Corrente de Dreno Contínua (Id) | 80 A |
| Resistência Dreno | Fonte (RDS(on)): 7.5 mOhm a 25°C |
| Tensão de Limiar Gate | Source (Vgs(th)): 2.5 V (típico) |
| Encapsulamento | PG-TO263-3 |
| Tecnologia | CoolMOS P7 |
| Corrente de Dreno Pulsada (Id) | 320 A |
| Tensão Gate | Source (Vgs): ±20 V |
| Temperatura de Operação | -55°C a 175°C |
| Montagem | Through Hole |
FAQ
Qual o tipo de encapsulamento do SPP80P06PHXKSA1?
O transistor SPP80P06PHXKSA1 possui encapsulamento PG-TO263-3.
Qual a faixa de temperatura de operação do SPP80P06PHXKSA1?
A temperatura de operação do SPP80P06PHXKSA1 é de -55°C a 175°C.
Quais as tensões máximas que podem ser aplicadas ao SPP80P06PHXKSA1?
A tensão Dreno-Fonte (Vds) é de 60V e a tensão Gate-Source (Vgs) é de ±20 V.