Descrição
Transistor MOSFET de canal N de alta performance da série OptiMOS™ 2, projetado para aplicações de gerenciamento de energia.
Especificações
| Tensão Drain | Source (Vds): 30 V |
|---|---|
| Corrente Contínua Drain (Id) | 80 A |
| Resistência Drain | Source (Rds(on)): 5 mOhm a Vgs = 10 V |
| Tensão de Threshold Gate | Source (Vgs(th)): 2 V |
| Tecnologia | OptiMOS™ 2 |
| Package | PG-TO263-3 |
| Temperatura de Operação | -55 °C a 175 °C |
| Gate Charge (Qg) | 45 nC |
| Capacitância de Entrada (Ciss) | 1600 pF |
| Capacitância de Saída (Coss) | 450 pF |
| Capacitância de Transferência Inversa (Crss) | 150 pF |
| Corrente Pulsada Drain (Id,pulse) | 320 A |
| Dissipação de Potência (Ptot) | 250 W |
FAQ
Qual a tensão máxima que o MOSFET SPP80N03S2L-05 suporta?
A tensão máxima Drain: Source (Vds) é de 30 V.
Qual a faixa de temperatura de operação do SPP80N03S2L-05?
O SPP80N03S2L-05 opera em temperaturas de -55 °C a 175 °C.
Quais são as principais características elétricas do SPP80N03S2L-05?
O SPP80N03S2L-05 possui corrente contínua Drain (Id) de 80 A, resistência Drain: Source (Rds(on)) de 5 mOhm a Vgs = 10 V, tensão de Threshold Gate: Source (Vgs(th)) de 2 V, e Gate Charge (Qg) de 45 nC. Sua corrente pulsada Drain (Id,pulse) é de 320 A e dissipação de potência (Ptot) é de 250 W.