Infineon SPP35N10: Potência e Desempenho para Suas Necessidades Eletrônicas
O Infineon SPP35N10 é um MOSFET de canal N, projetado para atender às demandas mais exigentes em aplicações de alta potência e eficiência energética. Este componente eletrônico da Infineon é ideal para sistemas de controle de energia, fontes de alimentação e outros dispositivos que exigem alta confiabilidade e desempenho.
Especificações Técnicas do Infineon SPP35N10
Com uma estrutura robusta e características que proporcionam um excelente desempenho térmico, o Infineon SPP35N10 oferece vantagens consideráveis para quem busca otimizar suas soluções eletrônicas. Confira suas principais especificações:
- Tensão máxima de dreno-fonte (Vds): 100V
- Corrente máxima de dreno (Id): 35A
- Resistência de drenagem (Rds(on)): 40mΩ
- Capacitância de entrada (Ciss): 1300pF
- Tipo de encapsulamento: TO-220
- Temperatura de operação: -55°C a 150°C
Vantagens de Usar o Infineon SPP35N10 em Seus Projetos
O Infineon SPP35N10 é ideal para aqueles que precisam de um MOSFET com alta capacidade de condução e baixa resistência ao estado ligado. Sua alta eficiência permite o uso em uma ampla gama de aplicações, reduzindo perdas de energia e garantindo maior durabilidade para os circuitos.
Além disso, este componente foi desenvolvido para garantir estabilidade em ambientes de alta temperatura, o que o torna uma excelente escolha para aplicações industriais e automotivas. Sua excelente capacidade de dissipação térmica ajuda a prevenir danos aos circuitos, garantindo maior segurança e longevidade.
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Se você procura por um MOSFET confiável e de alto desempenho, o Infineon SPP35N10 é a escolha certa. Não importa se você está desenvolvendo novos sistemas ou aprimorando os existentes, este componente fornecerá a eficiência e a confiabilidade que você precisa para obter resultados superiores.
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