Infineon SPP20N60C3: MOSFET de Potência para Aplicações de Alta Eficiência
O SPP20N60C3 é um MOSFET de potência de canal N de 600V e 20A da Infineon Technologies, projetado para atender às demandas de projetos de alta eficiência e comutação rápida. Pertencente à família CoolMOS™ C3, este transistor oferece uma combinação ideal de baixa resistência de condução (RDS(on)) e baixa carga de porta (Qg), resultando em perdas de comutação reduzidas e maior eficiência energética.
Características Principais do SPP20N60C3:
- Tensão de ruptura Dreno-Fonte (VDSS): 600V
- Corrente de Dreno contínua (ID): 20A
- RDS(on): 190mΩ
- Baixa carga de porta (Qg) para comutação rápida
- Tecnologia CoolMOS™ C3 para alta eficiência
- Encapsulamento TO-220-3 de fácil montagem
Aplicações do Transistor SPP20N60C3:
Graças ao seu desempenho excepcional, o SPP20N60C3 é uma escolha ideal para uma variedade de aplicações, incluindo:
- Fontes de alimentação chaveadas (SMPS)
- Conversores CC-CC
- Inversores solares
- Controladores de motor
- Aplicações de aquecimento por indução
- Circuitos de iluminação
Benefícios do MOSFET SPP20N60C3:
Ao escolher o SPP20N60C3 para seu projeto, você se beneficia de:
- Eficiência Energética Aprimorada: A baixa RDS(on) e a baixa Qg minimizam as perdas de energia, aumentando a eficiência geral do sistema.
- Confiabilidade e Robustez: O SPP20N60C3 foi projetado para suportar condições operacionais exigentes, garantindo confiabilidade a longo prazo.
- Facilidade de Design: O encapsulamento TO-220-3 padrão facilita a integração em seus projetos.
- Solução Econômica: O SPP20N60C3 oferece um excelente equilíbrio entre desempenho e custo, tornando-o uma solução atraente para uma variedade de aplicações.
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