Descrição
Transistor MOSFET de potência de canal N, 60V, 18A, com baixa resistência de condução (RDS(on)) e encapsulamento TO 220.
Especificações
| Tecnologia | CoolMOS P7 |
|---|---|
| Tensão Drain | Source (Vds): 60 V |
| Corrente Contínua Drain (Id) | 18 A |
| Resistência Drain | Source (RDS(on)): 58 mΩ a Vgs = 10 V |
| Tensão Gate | Source Threshold (Vgs(th)): 2 V a 4 V |
| Encapsulamento | PG-TO220-3 |
| Temperatura de Operação | -55 °C a +150 °C |
| Corrente Pulsada Drain (Id,pulse) | 72 A |
| Capacitância de Entrada (Ciss) | 450 pF |
| Capacitância de Saída (Coss) | 100 pF |
| Capacitância de Transferência (Crss) | 20 pF |
| Tempo de Subida (tr) | 10 ns |
| Tempo de Descida (tf) | 8 ns |
FAQ
Qual o encapsulamento do transistor SPP18P06PH?
O transistor SPP18P06PH possui encapsulamento PG-TO220-3.
Qual a faixa de temperatura de operação do SPP18P06PH?
A temperatura de operação do SPP18P06PH é de -55 °C a +150 °C.
Quais são as principais características elétricas do SPP18P06PH?
O SPP18P06PH é um transistor MOSFET de potência com as seguintes características: Tensão Drain-Source (Vds) de 60V, Corrente Contínua Drain (Id) de 18A, Resistência Drain-Source (RDS(on)) de 58 mΩ (a Vgs = 10 V), e Tensão Gate-Source Threshold (Vgs(th)) de 2V a 4V. Possui ainda Corrente Pulsada Drain (Id,pulse) de 72A.