Descrição
Transistor MOSFET de potência de canal N, 60V, 18A, com baixa resistência de condução (RDS(on)) e encapsulamento TO 220.
Especificações
| Tecnologia | CoolMOS™ P7 |
|---|---|
| Tensão Drain | Source (Vds): 60 V |
| Corrente Contínua Drain (Id) | 18 A |
| Resistência Drain | Source (RDS(on)): 0.055 Ohm (a Vgs=10V) |
| Tensão Gate | Source Threshold (Vgs(th)): 2 V |
| Encapsulamento | PG-TO220-3 |
| Temperatura de Operação | -55°C a +150°C |
| Corrente Pulsada Drain (Id,puls) | 72 A |
| Carga de Gate Total (Qg) | 22 nC (a Vgs=10V) |
| Capacitância de Entrada (Ciss) | 480 pF (a Vds=25V, f=1MHz) |
| Capacitância de Saída (Coss) | 120 pF (a Vds=25V, f=1MHz) |
| Capacitância de Transferência (Crss) | 30 pF (a Vds=25V, f=1MHz) |
FAQ
Qual o encapsulamento do transistor Infineon SPP18P06P H?
O transistor Infineon SPP18P06P H possui encapsulamento PG-TO220-3.
Qual a faixa de temperatura de operação do SPP18P06P H?
A temperatura de operação do SPP18P06P H varia de -55°C a +150°C.
Quais são as principais características elétricas do SPP18P06P H?
O SPP18P06P H é um transistor MOSFET de potência de canal N com tensão Drain-Source (Vds) de 60V, corrente contínua Drain (Id) de 18A, e resistência Drain-Source (RDS(on)) de 0.055 Ohm (a Vgs=10V).