Descrição
Transistor MOSFET de potência de canal N, 600V, 11A, com baixa resistência de condução (RDS(on)) e alta eficiência, ideal para aplicações de fonte de alimentação.
Especificações
| Tecnologia | CoolMOS C3 |
|---|---|
| Tensão Drain | Source (Vds): 600 V |
| Corrente Drain Contínua (Id) | 11 A |
| Resistência Drain | Source (RDS(on)): 0.33 Ω (Vgs=10V) |
| Tensão Gate | Source de Limiar (Vgs(th)): 3.0 V |
| Corrente Gate Contínua (Ig) | ±200 mA |
| Potência Dissipada (Pd) | 250 W |
| Temperatura de Operação | -55 °C a +150 °C |
| Encapsulamento | TO-220 |
| Tipo de Canal | N |
| Carga de Gate (Qg) | 38 nC (Vgs=10V) |
Recursos
- Tempo de Comutação Rápido
FAQ
Qual o encapsulamento do SPP11N60C3?
O SPP11N60C3 é encapsulado em TO-220.
Qual a faixa de temperatura de operação do SPP11N60C3?
A temperatura de operação do SPP11N60C3 varia de -55 °C a +150 °C.
Quais são as principais características elétricas do SPP11N60C3?
O SPP11N60C3 possui tensão Drain: Source (Vds) de 600 V, corrente Drain Contínua (Id) de 11 A, e resistência Drain: Source (RDS(on)) de 0.33 Ω (Vgs=10V).