Descrição
Transistor MOSFET de potência de canal N, 600V, 7A, com baixa resistência de condução e alta eficiência.
Especificações
| Tecnologia | CoolMOS™ S5 |
|---|---|
| Tensão Drain | Source (Vds): 600 V |
| Corrente Drain Contínua (Id) | 7 A |
| Resistência Drain | Source (Rds(on)): 0.55 Ω (Vgs = 10V) |
| Tensão Gate | Source (Vgs): ±30 V |
| Tensão de Limiar Gate | Source (Vgs(th)): 3 V |
| Corrente Gate Contínua (Ig) | 200 mA |
| Potência Dissipada (Pd) | 139 W |
| Temperatura de Operação | -55 °C a 150 °C |
| Package | TO-220 |
| Encapsulamento | FullPAK |
Recursos
- Diodo de Recuperação Rápida Integrado
FAQ
Qual o tipo de encapsulamento do Infineon SPP07N60S5?
O SPP07N60S5 possui encapsulamento TO-220 e é encapsulado em FullPAK.
Qual a faixa de temperatura de operação do SPP07N60S5?
O SPP07N60S5 opera em uma faixa de temperatura de -55 °C a 150 °C.
O Infineon SPP07N60S5 possui alguma proteção interna?
Sim, o SPP07N60S5 possui um Diodo de Recuperação Rápida Integrado.