Infineon SPI47N10

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Transistor de Potência Infineon SPI47N10

O Infineon SPI47N10 é um transistor MOSFET de potência N-Channel, ideal para aplicações que exigem alta performance e confiabilidade. Pertencente à renomada família SIPMOS, este componente oferece excelente desempenho em comutação, tornando-o uma escolha popular em projetos de eletrônica de potência.

Especificações Técnicas do SPI47N10:

  • Tensão Dreno-Source (VDSS): 100V
  • Corrente de Dreno (ID): 47A
  • Potência Dissipada (PD): 175W
  • Resistência de Estado Ligado (RDS(on)): 17mΩ
  • Tempo de Subida (tr): 45ns
  • Tempo de Descida (tf): 35ns
  • Encapsulamento: PG-TO262-3-1

Características e Benefícios do Transistor Infineon:

O SPI47N10 apresenta uma série de características que o tornam uma solução eficiente e robusta para diversas aplicações:

  • Baixa resistência de estado ligado (RDS(on)): Minimiza as perdas de condução e aumenta a eficiência energética.
  • Alta capacidade de corrente: Permite o controle de cargas significativas com facilidade.
  • Tempo de comutação rápido: Reduz as perdas de comutação e melhora o desempenho geral do circuito.
  • Encapsulamento robusto: Garante alta confiabilidade e durabilidade em ambientes desafiadores.

Aplicações do MOSFET SPI47N10:

Este transistor MOSFET de potência é indicado para uma ampla gama de aplicações, incluindo:

  • Fontes de alimentação chaveadas (SMPS)
  • Conversores DC-DC
  • Controladores de motor
  • Sistemas de iluminação
  • Aplicações automotivas

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