Descrição
Transistor MOSFET de canal N de alta performance, projetado para aplicações de comutação eficientes em sistemas de potência.
Especificações
| Tecnologia | OptiMOS™ 2 |
|---|---|
| Tensão Drain | Source (Vds): 60 V |
| Corrente Drain Contínua (Id) | 26 A |
| Resistência Drain | Source (Rds(on)): 35 mΩ a Vgs = 10 V |
| Tensão Gate | Source (Vgs): ±20 V |
| Tensão de Limiar Gate | Source (Vgs(th)): 2 V |
| Corrente de Drain Pulsada (Id,pulse) | 104 A |
| Potência Dissipada (Ptot) | 150 W |
| Encapsulamento | PG-TO-263 |
| Temperatura de Operação | -55 °C a 175 °C |
| RoHS | Sim |
| Tipo de Canal | N |
FAQ
Qual o encapsulamento do MOSFET SPD26N06S2L-35?
O Infineon SPD26N06S2L-35 possui encapsulamento PG-TO-263.
Qual a faixa de temperatura de operação do SPD26N06S2L-35?
A temperatura de operação do SPD26N06S2L-35 varia de -55 °C a 175 °C.
Qual a tensão Gate-Source (Vgs) máxima do SPD26N06S2L-35?
A tensão Gate-Source (Vgs) máxima do SPD26N06S2L-35 é ±20 V.