Descrição
Transistor MOSFET de canal N de 200V, 7A, com baixa resistência de condução (RDS(on)) e encapsulamento TO 252.
Especificações
| Tecnologia | CoolMOS™ G7 |
|---|---|
| Tensão Drain | Source (Vds): 200 V |
| Corrente Drain Contínua (Id) | 7 A |
| Resistência Drain | Source (RDS(on)): 200 mΩ @ Vgs = 10V |
| Tensão Gate | Source (Vgs): ±20 V |
| Encapsulamento | PG-TO 252-3 |
| Temperatura de Operação | -55°C a +150°C |
| Corrente de Dreno Pulsada (Id,pulse) | 28 A |
| Carga de Gate (Qg) | 12 nC |
| Dielétrico de Gate (Qgd) | 3.5 nC |
| Tempo de Subida (tr) | 10 ns |
| Tempo de Descida (tf) | 7 ns |
FAQ
Qual o encapsulamento do transistor Infineon SPD07N20G?
O transistor Infineon SPD07N20G possui encapsulamento PG-TO 252-3.
Qual a faixa de temperatura de operação do SPD07N20G?
A temperatura de operação do SPD07N20G varia de -55°C a +150°C.
Qual a tensão máxima que pode ser aplicada ao Gate do SPD07N20G?
A tensão Gate-Source (Vgs) máxima permitida para o SPD07N20G é de ±20 V.