Descrição
Transistor MOSFET de potência de canal P, 60V, 80A, com encapsulamento PG TO220 3.
Especificações
| Tecnologia | CoolMOS™ P7 |
|---|---|
| Tipo de canal | Canal P |
| Tensão Drain | Source (Vds): 60 V |
| Corrente Drain Contínua (Id) | 80 A |
| Tensão Gate | Source (Vgs): ±20 V |
| Resistência Drain | Source (Rds(on)): 5.5 mΩ a Vgs = -10V, Id = -80A |
| Tensão de Limiar Gate | Source (Vgs(th)): 2.5 V a Id = -250 µA |
| Encapsulamento | PG-TO220-3 |
| Temperatura de Operação | -55°C a +150°C |
| Corrente Drain Pulsada (Id,pulse) | 320 A |
| Carga de Gate (Qg) | 120 nC a Vgs = -10V |
| Capacitância de Entrada (Ciss) | 3800 pF a Vds = 25V, f = 1MHz |
| Capacitância de Saída (Coss) | 1100 pF a Vds = 25V, f = 1MHz |
| Capacitância de Transferência Inversa (Crss) | 350 pF a Vds = 25V, f = 1MHz |
FAQ
Qual o encapsulamento do SPB80P06PG?
O transistor SPB80P06PG é encapsulado em PG-TO220-3.
Qual a faixa de temperatura de operação do SPB80P06PG?
O SPB80P06PG opera em temperaturas de -55°C a +150°C.
Quais as características elétricas principais do SPB80P06PG?
O SPB80P06PG é um MOSFET de canal P com tensão Drain-Source (Vds) de 60V, corrente Drain contínua (Id) de 80A, e resistência Drain-Source (Rds(on)) de 5.5 mΩ a Vgs = -10V, Id = -80A. Utiliza a tecnologia CoolMOS™ P7.