Infineon SPB20N60C3ATMA1 – Transistor MOSFET Eficiente
O Infineon SPB20N60C3ATMA1 é um transistor MOSFET de canal N amplamente reconhecido por sua eficiência e desempenho em aplicações de alta potência. Com design robusto e confiável, este componente é ideal para projetos que demandam alta performance e baixo consumo de energia. Sua ampla aplicação em circuitos eletrônicos torna-o indispensável para engenheiros e profissionais da área.
Especificações Técnicas do Infineon SPB20N60C3ATMA1
- Tipo: MOSFET de canal N.
- Tensão máxima de dreno-fonte (VDS): 600V.
- Corrente de dreno contínua (ID): 20A.
- Resistência RDS(on): 0,19 ohms.
- Temperatura de operação: -55°C a 150°C.
- Encapsulamento: TO-220.
Essas especificações tornam o SPB20N60C3ATMA1 uma excelente escolha para projetos que exigem alta eficiência em gerenciamento de potência, como inversores, fontes de alimentação e sistemas industriais.
Vantagens do MOSFET SPB20N60C3ATMA1
Este modelo da Infineon oferece uma série de benefícios que atendem às exigências de aplicações modernas:
- Alta eficiência energética, reduzindo perdas por condução e comutação.
- Design confiável com proteção térmica aprimorada.
- Ideal para aplicações industriais e comerciais.
- Compatibilidade com diversas configurações de circuitos.
Aplicações do SPB20N60C3ATMA1
O transistor SPB20N60C3ATMA1 é amplamente utilizado em:
- Fontes chaveadas de alta frequência.
- Inversores de energia solar.
- Sistemas de controle de motores.
- Equipamentos industriais de alta potência.
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