Descrição
Transistor MOSFET de potência de canal N, 600V, 20A, com baixa resistência de condução (RDS(on)) e alta eficiência, ideal para aplicações de fonte de alimentação.
Especificações
| Tecnologia | CoolMOS C3 |
|---|---|
| Tensão Drain | Source (Vds): 600 V |
| Corrente de Drain Contínua (Id) | 20 A |
| Resistência Drain | Source (RDS(on)): 0.19 Ω (típico a Vgs=10V) |
| Tensão Gate | Source (Vgs): ±30 V |
| Corrente de Drain Pulsada (Id pulse) | 80 A |
| Potência Dissipada (Pd) | 250 W |
| Temperatura de Operação | -55 °C a 150 °C |
| Encapsulamento | TO-263 (D2PAK) |
Recursos
- Diodo de Recuperação Rápida Integrado
- Baixa Carga de Gate (Qg)
- Baixa Capacitância de Saída (Coss)
FAQ
Qual o encapsulamento do SPB20N60C3?
O SPB20N60C3 é encapsulado em TO-263 (D2PAK).
Qual a faixa de temperatura de operação do SPB20N60C3?
O SPB20N60C3 opera em temperaturas de -55 °C a 150 °C.
Quais as principais características de proteção e eficiência do SPB20N60C3?
O SPB20N60C3 possui um diodo de recuperação rápida integrado, baixa carga de gate (Qg) e baixa capacitância de saída (Coss), otimizando a eficiência.