Descrição
Transistor MOSFET de potência de canal N, 600V, 20A, com baixa resistência de condução (RDS(on)) e alta eficiência, ideal para aplicações de fonte de alimentação e conversão de energia.
Especificações
| Tecnologia | CoolMOS C3 |
|---|---|
| Tensão Drain | Source (Vds): 600 V |
| Corrente Drain Contínua (Id) | 20 A |
| Resistência Drain | Source (RDS(on)): 0.19 Ω (típico a Vgs=10V) |
| Tensão Gate | Source (Vgs): ±30 V |
| Corrente Gate Contínua (Ig) | 200 mA |
| Potência Dissipada (Pd) | 250 W |
| Temperatura de Operação | -55 °C a +150 °C |
| Package | PG-TO220-3 |
| Encapsulamento | Plástico |
| Tipo de Canal | N |
| Capacitância de Entrada (Ciss) | 1300 pF (típico) |
| Tempo de Subida (tr) | 15 ns (típico) |
| Tempo de Descida (tf) | 10 ns (típico) |
FAQ
Qual o tipo de encapsulamento do Infineon SPA20N60C3?
O Infineon SPA20N60C3 utiliza encapsulamento em plástico, no package PG-TO220-3.
Qual a faixa de temperatura de operação do SPA20N60C3?
O SPA20N60C3 opera em uma faixa de temperatura de -55 °C a +150 °C.
Quais são os valores de tensão e corrente suportados pelo SPA20N60C3?
O SPA20N60C3 suporta uma tensão Drain-Source (Vds) de 600 V e uma corrente Drain Contínua (Id) de 20 A.