Descrição
Transistor MOSFET de potência de canal N, 800V, 17A, com baixa resistência de condução (RDS(on)) e alta eficiência, ideal para aplicações de fonte de alimentação.
Especificações
| Tecnologia | CoolMOS C3 |
|---|---|
| Tensão Drain | Source (Vds): 800 V |
| Corrente Drain Contínua (Id) | 17 A |
| Resistência Drain | Source (RDS(on)): 0.32 Ω (típico a Vgs=10V) |
| Tensão Gate | Source (Vgs): ±20 V |
| Corrente Gate (Ig) | 200 mA |
| Potência Dissipada (Pd) | 250 W |
| Temperatura de Operação | -55 °C a 150 °C |
| Encapsulamento | PG-TO220-3 |
| Diodo de Recuperação Rápida Integrado | Sim |
| Aplicações | Fontes de alimentação chaveadas (SMPS), conversores DC/DC, PFC. |
FAQ
Qual o encapsulamento do SPA17N80C3?
O SPA17N80C3 é encapsulado em PG-TO220-3.
Qual a faixa de temperatura de operação do SPA17N80C3?
A temperatura de operação do SPA17N80C3 varia de -55 °C a 150 °C.
Quais são as aplicações típicas do SPA17N80C3?
O SPA17N80C3 é indicado para aplicações em fontes de alimentação chaveadas (SMPS), conversores DC/DC e PFC.