Descrição
Transistor MOSFET de potência de canal N, 600V, 15A, com baixa resistência de condução (RDS(on)) e alta eficiência, ideal para aplicações de fontes chaveadas e conversores.
Especificações
| Tecnologia | CoolMOS C3 |
|---|---|
| Tensão Drain | Source (Vds): 600 V |
| Corrente Drain Contínua (Id) | 15 A |
| Resistência Drain | Source (RDS(on)): 0.23 Ω (típico a Vgs=10V) |
| Tensão Gate | Source (Vgs): ±20 V |
| Corrente Gate Contínua (Ig) | 200 mA |
| Potência Dissipada (Pd) | 250 W |
| Temperatura de Operação | -55 °C a +150 °C |
| Encapsulamento | TO-220 |
Recursos
- Diodo de recuperação rápida integrado
- Baixa carga de gate (Qg)
- Alta densidade de potência
FAQ
Qual o encapsulamento do Infineon SPA15N60C3?
O Infineon SPA15N60C3 possui encapsulamento TO-220.
Qual a faixa de temperatura de operação do SPA15N60C3?
A temperatura de operação do SPA15N60C3 varia de -55 °C a +150 °C.
Quais as principais características e proteções do SPA15N60C3?
O SPA15N60C3 possui diodo de recuperação rápida integrado, baixa carga de gate (Qg), alta densidade de potência e é baseado na tecnologia CoolMOS C3.