Infineon SPA12N50C3: Transistor MOSFET de Potência
O Infineon SPA12N50C3 é um transistor MOSFET de potência CoolMOS™ C3 de canal N, projetado para aplicações de alta tensão e alta velocidade de comutação. Com uma tensão de ruptura de 500V e uma corrente de dreno de 12A, este componente é ideal para uma variedade de aplicações, incluindo fontes de alimentação chaveadas, inversores, conversores DC-DC e controladores de motor.
Especificações Técnicas do SPA12N50C3
- Tipo de dispositivo: Transistor MOSFET de potência CoolMOS™ C3 de canal N
- Tensão de dreno-fonte (VDSS): 500V
- Corrente de dreno contínua (ID): 12A
- Resistência de estado ligado (RDS(on)): 380mΩ (típ.)
- Carga de porta (Qg): 49nC (típ.)
- Dissipação de potência (Ptot): 125W
- Temperatura de operação: -55°C a 150°C
- Encapsulamento: TO-220FP-3
Características e Benefícios do SPA12N50C3
O SPA12N50C3 oferece uma série de vantagens que o tornam uma escolha popular para projetos de eletrônica de potência:
- Baixa resistência de estado ligado (RDS(on)): Minimiza as perdas de condução e aumenta a eficiência energética.
- Alta velocidade de comutação: Reduz as perdas de comutação e melhora o desempenho geral do circuito.
- Baixa carga de porta (Qg): Permite o uso de drivers de porta menores e mais eficientes.
- Alta capacidade de corrente: Suporta correntes de dreno significativas, tornando-o adequado para aplicações de alta potência.
- Robustez e confiabilidade: O encapsulamento TO-220FP-3 oferece excelente dissipação térmica e proteção contra danos mecânicos.
Aplicações do Transistor SPA12N50C3
O transistor MOSFET SPA12N50C3 é uma solução versátil para diversas aplicações, como:
- Fontes de alimentação chaveadas (SMPS)
- Conversores DC-DC
- Inversores
- Controladores de motor
- Sistemas de iluminação
- Aplicações industriais
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Observação: As especificações técnicas podem variar. Consulte a folha de dados do fabricante para obter informações detalhadas sobre o produto.
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