Descrição
Transistor MOSFET de potência de canal N, 600V, 11A, com baixa resistência de condução (RDS(on)) e alta eficiência, ideal para aplicações de fonte de alimentação e conversão de energia.
Especificações
| Tecnologia | CoolMOS C3 |
|---|---|
| Tensão Drain | Source (Vds): 600 V |
| Corrente Drain Contínua (Id) | 11 A |
| Resistência Drain | Source (RDS(on)): 0.32 Ω (Vgs=10V, Id=5.5A) |
| Tensão Gate | Source de Limiar (Vgs(th)): 3.0 V (Vds=20V, Id=1mA) |
| Corrente Drain Pulsada (Id,pulse) | 44 A |
| Potência Dissipada (Ptot) | 250 W |
| Temperatura de Operação | -55°C a +150°C |
| Encapsulamento | PG-TO220-3 |
| Diodo de Recuperação Rápida | Sim |
| Aplicações | Fontes de alimentação chaveadas (SMPS), fontes de alimentação de servidor, fontes de alimentação de telecomunicações, PFC ativo. |
FAQ
Qual o encapsulamento do Infineon SPA11N60C3?
O Infineon SPA11N60C3 possui encapsulamento PG-TO220-3.
Qual a faixa de temperatura de operação do SPA11N60C3?
A temperatura de operação do SPA11N60C3 varia de -55°C a +150°C.
Quais as aplicações típicas do Infineon SPA11N60C3?
O SPA11N60C3 é ideal para aplicações como fontes de alimentação chaveadas (SMPS), fontes de alimentação de servidor, fontes de alimentação de telecomunicações e PFC ativo.