Descrição
Transistor MOSFET de canal N de alta tensão, projetado para aplicações de comutação eficientes em fontes de alimentação e conversores.
Especificações
| Tecnologia | CoolMOS C3 |
|---|---|
| Tensão Drain | Source (Vds): 800 V |
| Corrente Drain Contínua (Id) | 8 A |
| RDS(on) máximo | 0.8 Ω |
| Tensão Gate | Source (Vgs) de limiar: 3.2 V |
| Capacitância de entrada (Ciss) típica | 750 pF |
| Capacitância de saída (Coss) típica | 100 pF |
| Capacitância de transferência (Crss) típica | 15 pF |
| Temperatura de operação | -55 °C a +150 °C |
| Package | PG-TO220-3 |
| Encapsulamento | Plástico |
| Certificação | AEC-Q101 (para aplicações automotivas) |
FAQ
Qual o tipo de encapsulamento do SPA08N80C3XKSA1?
O SPA08N80C3XKSA1 é encapsulado em plástico no package PG-TO220-3.
Qual a faixa de temperatura de operação do SPA08N80C3XKSA1?
A temperatura de operação do SPA08N80C3XKSA1 varia de -55 °C a +150 °C.
O SPA08N80C3XKSA1 é adequado para aplicações automotivas?
Sim, o SPA08N80C3XKSA1 possui certificação AEC-Q101, o que o torna adequado para aplicações automotivas.