Infineon SPA08N80C3XKSA1: MOSFET de Alta Tensão para Aplicações Exigentes
O Infineon SPA08N80C3XKSA1 é um MOSFET de canal N de alta tensão que oferece excelente desempenho e confiabilidade para uma variedade de aplicações industriais. Com uma tensão de ruptura de 800V e uma corrente de dreno contínua de 8A, este transistor de potência é ideal para projetos que exigem robustez e eficiência.
Especificações Técnicas do SPA08N80C3XKSA1:
- Tipo de dispositivo: MOSFET de canal N
- Tensão de ruptura (VDSS): 800V
- Corrente de dreno contínua (ID): 8A
- Resistência de estado ligado (RDS(on)): Típico de 800mΩ
- Potência dissipada (PD): 40W
- Encapsulamento: TO-220FP
- Tecnologia: CoolMOS™
Características e Benefícios do MOSFET Infineon:
O SPA08N80C3XKSA1 foi projetado com a tecnologia CoolMOS™ da Infineon, que oferece uma série de vantagens em relação aos MOSFETs convencionais, incluindo:
- Alta eficiência energética: Perdas de condução e comutação reduzidas, resultando em menor dissipação de calor e maior eficiência geral.
- Excelente robustez: Alta capacidade de resistência a avalanche e dv/dt, garantindo operação confiável em ambientes industriais desafiadores.
- Baixa capacitância: Comutação rápida e com baixas perdas, ideal para aplicações de alta frequência.
- Formato compacto: Encapsulamento TO-220FP, amplamente utilizado e de fácil montagem.
Aplicações do SPA08N80C3XKSA1:
Este MOSFET de alta tensão da Infineon é adequado para uma ampla gama de aplicações, como:
- Fontes de alimentação chaveadas (SMPS)
- Conversores CC-CC
- Inversores solares
- Controladores de motor
- Aplicações de aquecimento por indução
- Circuitos de acionamento de relés e solenoides
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