Infineon SPA06N80C3

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Transistor MOSFET de canal N de alta tensão, série CoolMOS C3, projetado para aplicações de alta eficiência em fontes de alimentação.

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Descrição

Transistor MOSFET de canal N de alta tensão, série CoolMOS C3, projetado para aplicações de alta eficiência em fontes de alimentação.

Especificações

Tensão Drain Source (Vds): 800 V
Corrente Drain Contínua (Id) a 25°C 6 A
Resistência Drain Source On-State (Rds(on)) a 10V: 0.55 Ω
Tensão de Threshold Gate Source (Vgs(th)) a 10µA: 3.0 V
Tecnologia CoolMOS C3
Package PG-TO220
Corrente Pulsada Drain (Id,pulse) 24 A
Tensão Gate Source (Vgs) Máxima: ±20 V
Capacitância de Entrada (Ciss) Típica 580 pF
Capacitância de Saída (Coss) Típica 70 pF
Capacitância de Transferência (Crss) Típica 10 pF
Temperatura de Operação -55°C a 150°C

FAQ

Qual a tensão máxima que o MOSFET SPA06N80C3 suporta?

O SPA06N80C3 suporta uma tensão Drain-Source (Vds) de 800 V.

Em quais temperaturas o SPA06N80C3 pode operar?

O SPA06N80C3 pode operar em temperaturas que variam de -55°C a 150°C.

Quais são as especificações de corrente e resistência do SPA06N80C3?

A corrente Drain contínua (Id) a 25°C é de 6 A, a corrente pulsada (Id,pulse) é de 24 A e a resistência Drain-Source On-State (Rds(on)) a 10V é de 0.55 Ω.

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