Descrição
MOSFET de canal N de 60A e 60V da série SMP, encapsulado em TO 262, otimizado para aplicações de comutação.
Especificações
| Tensão Drain | Source (Vds): 60 V |
|---|---|
| Corrente Drain Contínua (Id) | 60 A |
| Tensão Gate | Source (Vgs): ±20 V |
| Resistência Drain | Source (Rds(on)): 18 mΩ (Vgs = 10V, Id = 60A) |
| Tensão de Limiar Gate | Source (Vgs(th)): 2 V |
| Capacitância de Entrada (Ciss) | 1500 pF |
| Capacitância de Saída (Coss) | 400 pF |
| Capacitância de Transferência (Crss) | 150 pF |
| Temperatura de Operação | -55 °C a +175 °C |
| Encapsulamento | TO-262 |
| Tecnologia | OptiMOS™ |
| Corrente Pulsada Drain (Id,pulse) | 240 A |
| Dissipação de Potência (Pd) | 150 W |
FAQ
Qual o encapsulamento do MOSFET SMP60N06-18?
O MOSFET SMP60N06-18 é encapsulado em TO-262.
Qual a faixa de temperatura de operação do SMP60N06-18?
A temperatura de operação do SMP60N06-18 varia de -55 °C a +175 °C.
Quais são os principais parâmetros elétricos do SMP60N06-18?
O SMP60N06-18 possui tensão Drain-Source (Vds) de 60V, corrente Drain contínua (Id) de 60A, resistência Drain-Source (Rds(on)) de 18 mΩ (Vgs = 10V, Id = 60A) e corrente pulsada Drain (Id,pulse) de 240 A.