Infineon SMBT2222AE6327HTSA1

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Transistor bipolar NPN de uso geral em encapsulamento SOT-23, adequado para aplicações de comutação e amplificação de sinais pequenos.

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Descrição

Transistor bipolar NPN de uso geral em encapsulamento SOT 23, adequado para aplicações de comutação e amplificação de sinais pequenos.

Especificações

Tipo de Transistor NPN
Tensão Máxima Coletor Base (Vcbo): 50 V
Tensão Máxima Emissor Base (Vebo): 6 V
Corrente Máxima de Coletor (Ic) 600 mA
Potência Máxima de Dissipação (Pd) 300 mW
Encapsulamento SOT-23
Ganho de Corrente DC (hFE) 100 a 300
Frequência de Transição (fT) 300 MHz
Temperatura de Operação -55 °C a 150 °C
Polaridade NPN

FAQ

Qual o encapsulamento do transistor SMBT2222AE6327HTSA1?

O transistor SMBT2222AE6327HTSA1 é encapsulado em SOT-23.

Qual a faixa de temperatura de operação do SMBT2222AE6327HTSA1?

A temperatura de operação do SMBT2222AE6327HTSA1 varia de -55 °C a 150 °C.

Quais as aplicações típicas do SMBT2222AE6327HTSA1?

O SMBT2222AE6327HTSA1 é adequado para aplicações de comutação e amplificação de sinais pequenos, por ser um transistor bipolar NPN de uso geral.

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