Descrição
Transistor de SiC MOSFET de 1200V, 20A, com baixa resistência Rds(on) e alta eficiência, ideal para aplicações de alta potência.
Especificações
| Tecnologia | Silicon Carbide (SiC) MOSFET |
|---|---|
| Tensão Dreno | Fonte (Vds): 1200 V |
| Corrente Contínua de Dreno (Id) | 20 A |
| Resistência Dreno | Fonte (Rds(on)): 22 mΩ (típico) |
| Tensão de Gate | Fonte (Vgs): ±20 V |
| Corrente de Gate (Ig) | ±200 mA |
| Temperatura de Operação | -40°C a +175°C |
| Package | TO-247-3 |
| Aplicações | Fontes de alimentação chaveadas, inversores solares, carregadores de veículos elétricos |
Recursos
- Baixas perdas de chaveamento
- Alta densidade de potência
- Excelente performance térmica
FAQ
Qual o encapsulamento do SKB02N120?
O SKB02N120 possui encapsulamento TO-247-3.
Qual a faixa de temperatura de operação do SKB02N120?
O SKB02N120 opera em uma faixa de temperatura de -40°C a +175°C.
Quais as aplicações típicas do SKB02N120?
As aplicações típicas do SKB02N120 incluem fontes de alimentação chaveadas, inversores solares e carregadores de veículos elétricos.