Descrição
MOSFET de canal P de alta performance, 30V, 10A, em encapsulamento TSNP 3×3.
Especificações
| Tecnologia | OptiMOS™ 3 |
|---|---|
| Tipo de Canal | Canal P |
| Tensão Dreno | Fonte (Vds): 30 V |
| Corrente de Dreno Contínua (Id) | 10 A |
| Tensão de Gate | Fonte (Vgs): ±20 V |
| Resistência Dreno | Fonte (Rds(on)): 12 mΩ a Vgs = -10V, Id = -10A |
| Encapsulamento | TSNP-3×3 |
| Temperatura de Operação | -55°C a +150°C |
| RoHS | Sim |
| AEC | Q101: Qualificado |
FAQ
Qual o encapsulamento do MOSFET SI4410DYTRPBF?
O MOSFET SI4410DYTRPBF é encapsulado em TSNP-3×3.
Qual a faixa de temperatura de operação do SI4410DYTRPBF?
O SI4410DYTRPBF opera em temperaturas de -55°C a +150°C.
O SI4410DYTRPBF atende aos requisitos de proteção ambiental?
Sim, o SI4410DYTRPBF é compatível com RoHS e qualificado para AEC-Q101.