Infineon SI4410DYTRPBF: MOSFET de Potência Canal N de Alta Eficiência

O Infineon SI4410DYTRPBF é um MOSFET de potência canal N de última geração, projetado para fornecer desempenho excepcional em uma variedade de aplicações de comutação de alta velocidade. Com uma combinação impressionante de baixa resistência de estado ligado (RDS(on)), alta capacidade de corrente e rápida velocidade de comutação, este transistor MOSFET oferece eficiência e confiabilidade incomparáveis.

Especificações Técnicas do SI4410DYTRPBF:

• Tensão Dreno-Fonte (VDS): 30V
• Corrente de Dreno Contínua (ID): 10A
• Resistência de Estado Ligado (RDS(on)): 28mΩ (típico)
• Dissipação de Potência (PD): 2.5W
• Tecnologia de Encapsulamento: 8-SO
• Temperatura de Operação: -55°C a +150°C

Características Principais do MOSFET SI4410DYTRPBF:

Este MOSFET de potência da Infineon oferece uma série de recursos que o tornam ideal para uma ampla gama de aplicações:

• Baixa RDS(on) para minimizar perdas de condução e aumentar a eficiência energética.
• Alta capacidade de corrente para lidar com cargas exigentes.
• Velocidade de comutação rápida para reduzir perdas de comutação e melhorar o desempenho geral.
• Encapsulamento 8-SO compacto para economia de espaço e facilidade de integração.
• Ampla faixa de temperatura de operação para garantir confiabilidade em ambientes desafiadores.

Aplicações do Transistor SI4410DYTRPBF:

O SI4410DYTRPBF é uma escolha versátil para diversas aplicações, incluindo:

• Fontes de alimentação chaveadas (SMPS)
• Conversores DC-DC
• Controladores de motor
• Circuitos de acionamento de relé
• Sistemas de gerenciamento de bateria
• Eletrônicos de consumo
• Aplicações automotivas

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