Descrição
Transistor IGBT de alta performance da Infineon, projetado para aplicações de comutação rápida e alta eficiência.
Especificações
| Tecnologia | TrenchField IGBT |
|---|---|
| Tensão Coletor | Emissor (Vces): 1200 V |
| Corrente Contínua de Coletor (Ic) a 25°C | 15 A |
| Corrente Contínua de Coletor (Ic) a 100°C | 7.5 A |
| Tensão de Saturação Coletor | Emissor (Vce(sat)) a 15A, 25°C: 1.8 V |
| Corrente Pulsada de Coletor (Icm) | 60 A |
| Tensão Gate | Emissor (Vge): ±20 V |
| Corrente de Gate (Ig) | 100 mA |
| Dissipação de Potência (Ptot) a 25°C | 150 W |
| Temperatura de Operação (Tj) | -40°C a 150°C |
| Package | TO-247 |
| Frequência de Operação | Alta |
| Aplicações | Fontes de alimentação chaveadas, inversores solares, controle de motores |
FAQ
Qual a tensão máxima que o SGP15N120 pode suportar?
O transistor IGBT SGP15N120 suporta uma tensão Coletor-Emissor (Vces) de 1200 V.
Em quais faixas de temperatura o SGP15N120 pode operar?
O SGP15N120 opera em uma faixa de temperatura de junção (Tj) de -40°C a 150°C.
Quais as aplicações típicas do SGP15N120?
As aplicações típicas do SGP15N120 incluem fontes de alimentação chaveadas, inversores solares e controle de motores.