Descrição
Transistor IGBT de alta performance da Infineon, projetado para aplicações de comutação rápida e alta eficiência em fontes de alimentação e inversores.
Especificações
| Tecnologia | IGBT |
|---|---|
| Tensão Coletor | Emissor (Vces): 1200 V |
| Corrente de Coletor Contínua (Ic) a 25°C | 7 A |
| Corrente de Coletor Pulsada (Icp) | 28 A |
| Tensão de Saturação Coletor | Emissor (Vce(sat)) a 7A, 15V: 1.8 V |
| Tensão de Gate | Emissor (Vge) Máxima: ±20 V |
| Package | TO-220 |
| Dissipação de Potência (Pd) a 25°C | 139 W |
| Temperatura de Operação | -55°C a +150°C |
| Frequência de Comutação | Alta |
| Aplicações | Fontes de alimentação chaveadas, inversores solares, UPS, controle de motores. |
FAQ
Qual a tensão máxima que o SGP07N120 pode suportar?
O SGP07N120 suporta uma tensão Coletor-Emissor (Vces) de 1200 V.
Em quais faixas de temperatura o SGP07N120 pode operar?
O SGP07N120 opera em temperaturas que variam de -55°C a +150°C.
Quais são as aplicações típicas do SGP07N120?
As aplicações típicas do SGP07N120 incluem fontes de alimentação chaveadas, inversores solares, UPS e controle de motores.