Descrição
Transistor IGBT de alta performance da Infineon, projetado para aplicações de comutação rápida em fontes de alimentação e inversores.
Especificações
| Tecnologia | CoolMOS™ IGBT |
|---|---|
| Tensão Coletor | Emissor (Vces): 1200 V |
| Corrente Contínua de Coletor (Ic) a 25°C | 70 A |
| Corrente Contínua de Coletor (Ic) a 100°C | 35 A |
| Tensão de Saturação Coletor | Emissor (Vce(sat)) a 70A, 15V: 2.0 V |
| Gate Charge (Qg) a 15V | 120 nC |
| Tempo de Comutação (tf) a 70A, 600V, 25°C | 50 ns |
| Resistência Térmica Coletor | Case (RthJC): 0.65 K/W |
| Package | TO-247 |
| Temperatura de Operação | -40°C a +150°C |
| Aplicações | Fontes de alimentação chaveadas, inversores solares, drives de motor |
FAQ
Qual a tensão máxima que o SGB07N120 pode suportar?
O SGB07N120 suporta uma tensão Coletor: Emissor (Vces) de 1200 V.
Quais as aplicações típicas do SGB07N120?
O SGB07N120 é projetado para aplicações em fontes de alimentação chaveadas, inversores solares e drives de motor.
Qual a temperatura máxima de operação do SGB07N120?
A temperatura de operação do SGB07N120 varia de -40°C a +150°C.