Descrição
O Infineon PVG612PBF é um MOSFET de canal P de alta performance em encapsulamento SOT 223, projetado para aplicações de comutação de carga.
Especificações
| Tipo de Transistor | MOSFET de Canal P |
|---|---|
| Tensão Dreno | Fonte (Vds): -60 V |
| Corrente de Dreno Contínua (Id) | -1.5 A |
| Tensão Gate | Source (Vgs): ±20 V |
| Resistência Dreno | Source (Rds(on)): 1.2 Ohm @ Vgs = -10V, Id = -1.5A |
| Encapsulamento | SOT-223 |
| Temperatura de Operação | -55°C a +150°C |
| Tecnologia | OptiMOS™ |
| RoHS | Sim |
| Aplicações | Comutação de Carga, Gerenciamento de Energia |
FAQ
Qual o encapsulamento do Infineon PVG612PBF?
O Infineon PVG612PBF é encapsulado em SOT-223.
Qual a faixa de temperatura de operação do PVG612PBF?
A temperatura de operação do PVG612PBF varia de -55°C a +150°C.
Quais são as aplicações típicas do Infineon PVG612PBF?
O Infineon PVG612PBF é projetado para aplicações de comutação de carga e gerenciamento de energia.