Infineon PTF080601A

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O PTF080601A é um transistor de efeito de campo (FET) de potência da Infineon, projetado para aplicações de gerenciamento de energia.

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Descrição

O PTF080601A é um transistor de efeito de campo (FET) de potência da Infineon, projetado para aplicações de gerenciamento de energia.

Especificações

Tipo de Transistor N-Channel MOSFET
Tensão Drain Source (Vds): 60V
Corrente Drain Contínua (Id) 100A
Resistência Drain Source (Rds(on)): 7.5mOhm @ 10V
Tensão de Gate Source (Vgs): ±20V
Tecnologia OptiMOS™
Package PG-TDSON-8
Temperatura de Operação -55°C a +150°C
Encapsulamento Surface Mount
Aplicações Gerenciamento de energia, fontes de alimentação, automotivo

FAQ

Qual o tipo de encapsulamento do PTF080601A?

O PTF080601A utiliza encapsulamento Surface Mount, com package PG-TDSON-8.

Qual a faixa de temperatura de operação do PTF080601A?

O PTF080601A opera em temperaturas de -55°C a +150°C.

Quais são as aplicações típicas do PTF080601A?

O PTF080601A é indicado para aplicações de gerenciamento de energia, fontes de alimentação e uso automotivo.

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