Infineon PTF080451E

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O Infineon PTF080451E é um transistor de efeito de campo (FET) de potência, projetado para aplicações de gerenciamento de energia.

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Descrição

O Infineon PTF080451E é um transistor de efeito de campo (FET) de potência, projetado para aplicações de gerenciamento de energia.

Especificações

Tipo de Transistor N-Channel MOSFET
Tensão Drain Source (Vds): 40V
Corrente de Drain Contínua (Id) 100A
Resistência Drain Source (Rds(on)): 4.5mOhm @ Vgs=10V
Tensão de Threshold (Vgs(th)) 2.5V (typ)
Tecnologia OptiMOS™
Package PG-TDSON-8
Temperatura de Operação -55°C a 175°C
RoHS Sim
Aplicações Gerenciamento de energia, fontes de alimentação, automotivo

FAQ

Qual o tipo de transistor do Infineon PTF080451E?

O Infineon PTF080451E é um N-Channel MOSFET.

Qual a faixa de temperatura de operação do PTF080451E?

O PTF080451E opera em uma faixa de temperatura de -55°C a 175°C.

Quais são as aplicações típicas do Infineon PTF080451E?

O PTF080451E é projetado para aplicações de gerenciamento de energia, fontes de alimentação e automotivas.

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